产品核心参数摘要：AP5N10SI是APM原厂SOT-89-3L封装100V N沟道MOSFET，最大连续电流5A，VGS=10V时导通电阻低于110mΩ，支持4.5V低压栅极驱动，内置续流体二极管；具备2000V ESD防护，低栅电荷，适配锂电池保护、手机快充、无线充电设备。广晟微为APM一级授权代理商，现货库存充足，可免费提供样品、规格书、PCB布线指导与全套电源方案，可兼容替换同规格100V/5A N沟道MOS竞品。
AP5N10SI 100V/5A N沟道增强型MOSFET｜4.5V低压驱动 SOT-89封装功率管
AP5N10SI为APM采用先进沟槽工艺打造N沟道增强型功率MOS管，额定耐压100V，连续漏极电流5A，可支持最低4.5V栅极驱动电压，导通内阻优异、栅极电荷极低，器件集成反向续流二极管，简化外围整流电路。
芯片散热性能优秀，SOT89封装最大功耗3.5W，工作结温区间-55℃~150℃，抗冲击脉冲电流可达15A，稳定应用锂电池保护电路、手机快充模块、无线充电、小型开关电源等低压开关场景，长期工作温升可控，不易热击穿。
配套内部电路原理图：
产品核心优势：100V耐压/5A连续电流｜支持4.5V低压栅驱动｜Rds(on)低至88mΩ｜超低栅极电荷｜内置续流二极管｜SOT89-3L贴片封装｜最大功耗3.5W｜宽温-55~150℃｜脉冲电流15A｜适配快充/锂电保护｜兼容多款国产进口同规格MOS
AP5N10SI 订货包装信息
| 物料型号 | 封装规格 | 丝印标识 | 标准包装 |
|---|
| AP5N10SI | SOT89-3L | AP5N10SI XXX YYYY | 3000PCS/卷 |
AP5N10SI 极限额定参数（Tc=25℃）
| 符号 | 参数名称 | 额定值 | 单位 |
|---|
| VDS | 漏源耐压 | 100 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID(25℃) | 25℃连续漏极电流 | 5 | A |
| ID(70℃) | 70℃连续漏极电流 | 3.6 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流 | 15 | A |
| PD | 25℃封装最大功耗 | 3.5 | W |
| TSTG | 存储温度范围 | -55 ~ 150 | ℃ |
| TJ | 工作结温范围 | -55 ~ 150 |
| RθJA | 结到环境热阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 结到外壳热阻 | 40 | ℃/W |
温馨提示：器件长期超极限参数运行会永久损坏MOS管，大幅缩短快充、锂电保护板使用寿命。
AP5N10SI 电气特性（Tc=25℃）
| 参数符号 | 参数说明 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|
| BVDSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V,ID=250uA | 100 | - | - | V |
| RDS(ON) | 导通内阻 | VGS=10V,ID=3A | - | 88 | 110 | mΩ |
| RDS(ON) | 导通内阻 | VGS=4.5V,ID=2A | - | 95 | 125 | mΩ |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | VDS=VGS,ID=250uA | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IDSS | 漏源漏电流 | VDS=100V,VGS=0V | - | - | 10 | uA |
| Qg | 总栅电荷 | VDS=60V,ID=2A | - | 25.5 | - | nC |
| Td(on) | 开通延迟时间 | VDD=50V,ID=1A | - | 17.3 | - | ns |
| Td(off) | 关断延迟时间 | VDD=50V,ID=1A | - | 50 | - | ns |
| Ciss | 输入电容 | VDS=15V,f=1MHz | - | 677 | - | pF |
AP5N10SI SOT89-3L 封装尺寸图纸
封装关键尺寸：A=1.4~1.6mm、E=2.3~2.6mm、E1=3.94~4.25mm、引脚间距e=1.5mm标准SOT89贴片规格，适配常规SMT贴片机量产。
AP5N10SI 典型电气特性曲线
AP5N10SI 产品应用场景
1、锂电池充放电保护板：三元锂/磷酸铁锂保护开关，过流、过压切断回路
2、手机/数码产品快充电源模块，5V/12V降压开关电路
3、无线充电发射端、接收端功率开关管
4、小型DC-DC升压/降压开关电源、便携储能设备
5、电动玩具、小家电低压功率控制回路
AP5N10SI 兼容替换型号 & 竞品优势对比
AP5N10SI可直接Pin to Pin兼容替换市面100V/5A等级SOT89封装N沟道MOS，包含国产与进口同规格功率管，相比通用竞品综合性能更优，核心对比参数如下：
| 对比项目 | AP5N10SI（APM原厂） | 市面普通100V SOT89 MOS |
|---|
| 最低栅驱动电压 | 支持4.5V低压驱动，适配MCU 5V系统 | 多数仅支持10V驱动，低压内阻飙升 |
| VGS=10V导通内阻 | 典型88mΩ，发热更低 | 130~180mΩ，损耗大温升高 |
| 栅极总电荷 | 25.5nC，开关速度快 | 35nC以上，开关损耗高 |
| 内置续流二极管 | 自带体二极管，省去外置肖特基 | 部分无内置二极管，增加BOM |
| 脉冲电流能力 | 15A短时脉冲，抗浪涌强 | 8~10A脉冲，易浪涌损坏 |
| 工作温区 | -55~150℃宽温，工业级标准 | -40~125℃，高低温性能差 |
可直接替代型号：AP50N10、STD5N10、FDN5N10、SM5N10、YJ100N05等同封装100V 5A N沟道MOSFET，无需修改PCB布局。
APM同系列MOS管产品推荐
| 型号 | 耐压 | 额定电流 | 封装 | 典型应用 |
|---|
| AP5N10SI | 100V | 5A | SOT89-3L | 锂电保护、手机快充、无线充 |
| AP3N60 | 600V | 3A | TO-252 | 适配器、小家电开关电源 |
| AP8N30 | 30V | 8A | SOT89 | 大电流锂电保护、车载设备 |
| AP10P03 | 30V P沟道 | 10A | SOT23 | 便携设备电源控制 |
广晟微半导体企业介绍
广晟微半导体（深圳）有限公司（以下简称“广晟微”）成立于2023年，其前身流明芯（LUMENCHIP）创立于2010年，总部在科技之都深圳，是一家从成立伊始即专注于数模混合芯片的技术和产品落地，推动绿色智能科技发展的模拟芯片集成服务领导品牌。
广晟微集海内外优秀模式与渠道为一体，打破传统的独立分销、代理模式。创办具有更强生命力的集混合代理分销、市场分析与预测、技术方案服务、一站式配套供应于一体的双模式。旗下代理线与自有品牌共存，分销线与配套供应共存，三者相辅相成，特具风格。我们的宗旨只有一个，就是更好的全心全意为您服务，以满足客户需求为目标，为全球客户提供创新性、客户化的产品和服务，帮助客户实现持续赢利和成功，构建客户市场的未来。我们同客户深入沟通，提供独特的设计观点，为客户提供具有竞争力的全面的解决方案和产品。自主研发，面向各电子细分行业领先企业，提供系列电源管理和智能控制解决方案，代理&分销和方案服务领跑行业。
广晟微拥有业界最完整解决方案和MCU、AI芯片、电源管理芯片、信号链芯片、功率器件产品线，产品种类齐全， 涵盖信号处理、语音唤醒、语音识别、声纹识别、语音合成、知识图谱、自然语言处理、智能对话。凭借强大的营销策划能力和丰富专业的市场运作经验，获取授权的主要合作伙伴有韩国动运科技DONGWOON、华润微（PowTech、CR MICRO）、华晶微CRHJ、永源微APM、功成半导体COOLSEMI、安海半导体ANHI 、瑞森半导体Reasunos、欧创芯OCX、众芯元MassChip、上海芯龙XLSEMI、智芯半导体、纳芯威NSIWAY、屹晶微EGmicro、瑞盟科技、ChipWays、思必驰AISPEECH、航天民芯Aerosemi等。
广晟微秉承“以奋斗者为本，以客户为中心，坚持价值贡献”的企业价值观，专注代理芯片的技术和产品落地，推动绿色智能科技的持续发展，代理分销和应用方案领跑全球半导体细分领域。
公司官网：https://www.gs-micro.com
