APM MOS ,永源微，永源微MOS，台湾永源微,AP3N10BI,100V/3A N-MOS,NMOS,N沟道增强型MOS,N沟道MOS，3N10,SOT23-3 MOS,SOT23-3,RDS(ON) < 320mΩ ,260mΩ MOS
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AP3N10BI - 广晟微半导体一级代理
图片仅供参考，请参考产品描述

APM 一级代理 12-250V Trench沟槽N-MOS AP3N10BI

型号：
AP3N10BI
制造商：
APM
关键字：
AP3N10BI,Trench沟槽N-MOS，100V/3A MOS
描述：
Trench沟槽工艺N-MOS
库存：
0 PCS
PDF：
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询价数量：
分享：
典型应用方案 : 美容雾化,小信号开关MOS,蓄电池保护, Load switch 负载开关,UPS
产品关键字 : N-MOS,APM MPS,台湾永源微，
沟槽类型 : 100V N沟道增强型MOSFET,
极性 : N-MOS,
工艺技术 : 沟槽工艺Trench N-MOS,
最小包装MOQ（Pcs） : 3000PCS,
击穿电压VDS(V) : VDS = 100V,
最大漏源电流ID（A） : ID =2.8 A,
最大驱动电压VGS (±V) : VGS=±20,
Ron*Qg(优值，FOM)(Ω.nC) : 无静电保护，
导通内阻Rdson @10V(mΩ) : Rdson Max.@10V=310mΩ,
导通内阻Rdson @4.5V(mΩ) : Rdson Max.@4.5V=320mΩ,
开启电压Vgs(th) : Vgs(th).Min.=1.0V,Vgs(th).Typ=1.5V,Vgs(th).Max.=2.5V,
总栅极电荷Qg : Qg=13.6nC,
栅源电荷Qgs : Qgs=2.2nC,
栅漏电荷Qgd : Qgd=2.4nC,
输入结电容Ciss : Ciss=711pF,
输出结电容Coss : Coss=41pF,
反馈结电容Crss : Crss=23pF,
替代型号 : 3N10，
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