外置MOS,最大驅動50N MOSFET共陽極LED恒流芯片Hi7000D產品應用描述:
Hi7000D 是一款外圍電路簡單的多功能平均電流型 LED 恒流驅動器,適用於寬電壓範圍的非隔離式大功 率恒流 LED 驅動領域。
Hi7000D芯片 PWM 端口支持超小占空比的 PWM 調光, 可響應最小 60ns 脈寬。芯片Hi7000D采用我司專利算法,為客戶提供最佳解決方案,最大限度地發揮燈具優勢,以實現景觀舞臺燈高輝的調光效果,65536(256*256) 級高輝調光。PWM 端口為高電平時,芯片正常工作。為低電平時,芯片輸出關閉。
芯片Hi7000D采用我司專利的平均電流控製算法,輸出電流恒流精度 ≤±3%,且輸出電流受輸入輸出電壓、系 統電感的影響小;芯片內部集成環路補償,外圍電路 簡潔,系統更加穩定可靠。芯片通過對 LD 端口實現模擬調光功能。LD 接 0.2-1.2V 模擬調光信號輸入時,系統為模擬調光模式。
LD 模擬調光模式時,端口電壓低於 0.2V,輸出關閉。 也可以利用 LD 的模擬調光特性,配合 PWM 調光, 實現軟啟動功能。LD、PWM 引腳懸空時,建議與 VDD 引腳短接在 一起使用。
外置MOS,最大驅動50N MOSFET共陽極LED恒流芯片Hi7000D應用:
●景觀亮化LED照明
●舞臺調光效果燈
●高端汽車車燈LED照明
●LCD 背光照明
●建築照明
外置MOS,最大驅動50N MOSFET共陽極LED恒流芯片Hi7000D驅動特性:
● Hi7000D支持高輝調光,65536:1 調光比。
● Hi7000D輸入電壓範圍5V至100V寬輸入的電源電壓
● Hi7000D平均電流工作模式,輸出電流可調範圍 60mA~5A
● Hi7000D內置 5V 穩壓管
● Hi7000D外驅 MOSFET,最大驅動 50N
● Hi7000D最大工作頻率 1MHz
●Hi7000D芯片 恒流精度≤±3%
●Hi7000支持PWM調光/模擬調光/分段調光
● Hi7000D采用標準小尺寸封裝:sot23-6
共陽極LED恒流芯片Hi7000D引腳定義和封裝尺寸:

PIN腳位(Hi7000D)
| Hi7000D引腳名稱 | Hi7000D引腳功能描述 |
1
| CS | 電流檢測端口
|
2 | GND | 地
|
3 | VDD | 芯片工作電源 |
4 | LD | 模擬調光 |
5 | PWM | PWM調光 |
6 | GATE | NMOS GATE驅動管腳
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共陽極LED恒流芯片Hi7000D芯片內部電路框架圖

開關降壓,共陽極LED恒流驅動芯片Hi7000D典型應用電路

開關降壓型共陽極LED恒流芯片Hi7000D單路調光應用方案原理圖



開關降壓型共陽極LED恒流芯片Hi7000D原理圖-RGBW 四路調光方案電路

開關降壓,共陽極LED恒流驅動芯片Hi7000D應用說明
Hi7000D 是一款外圍電路簡單的多功能平均電流型 LED 恒流驅動器,適用於超寬電壓範圍的非隔離式恒流 LED 驅動領域。通過對 CS 端口的電流采樣來實現精準的電流控製,芯片集成了多種調光模式,拓展了系統應用。
輸出電流
輸出電流由芯片內部的誤差放大器采樣並且和內部的 0.2V 進行比較以及誤差放大,從而實現系統的恒流控製,輸出電流公式如下:
Iout=0.2V/RCS*A
其中 Iout 為輸出電流,Rcs 為系統的檢流電阻。
Hi7000D芯片啟動
Hi7000D系統上電後通過啟動電阻對連接於電源引腳 VDD 的電容充電,當電源電壓高於 4.5V 後,芯片電路開始工作,直到 VDD 端口電壓穩定達到鉗位電壓 5.2V 左右,芯片的供電電流主要有 VDD端口接入的電阻 R3 提供,對於不同的功率 MOS,需要調整該電阻的大小以適應系統的電流損耗,MOS 越大,電阻越小,輸入電壓越低,需要的電阻越小,電阻 R3 的取值請參考 9.6。
Hi7000D調光設置
當LD 接入 0.2V~1.2V 模擬信號時,芯片進入模擬調光模式,當 LD 端口低於 0.2V 以下關閉輸出。而且 LD 端口也可以實現 PWM 調光的功能,用 LD 端口進行 PWM 調光的時候 LD 端口的高電平要超過 1.2V。對 LD 腳並聯電容,可以實現軟啟動功能。此外 PWM 端口支持超小占空比的 PWM 調光,可以響應<60ns 的 PWM 脈寬波形,當 PWM 信號為低電平,輸出關閉,當 PWM 信號為高電平,輸出開啟,懸空的時候默認該端口為高電平輸入。
Hi7000D的電感選擇
由於芯片原理設定,不同的電感值,會影響到驅動的開關頻率。電感值決定了輸出電流在開關時的升降斜率,而電流斜率決定了 FET 開關時電流從波谷到波峰和波峰到波谷消耗的時間。

DCRL是電感的直流電阻值,VLED 是 LED 的壓降,FETRDS(ON)是功率 MOSFET 的導通電阻,Vdiode為蓄流二極管的壓降。開關頻率可由下公式計算:
電感值越大,輸出電流的開關越緩慢。由於 CS 檢測到 MOSFET 的開關之間存在傳播延時,使得期望值和真實的紋波電流之間存在細微的差異。但是,選擇電感時,不應使電流峰值超過電感的額定飽和電流。