60V高端電流檢測降壓LED恒流驅動器 OC5266，內置MOS驅動≤1.5A@15W,同時支持外擴NMOS驅動≤3A@30W
車燈驅動芯片OC5266概述
OC5266 是內置功率MOS，同時可支 持外擴驅動 NMOS 的壹款連續電感電流 導通模式的降壓型LED 恒流驅動器，用於 驅動壹個或多個 LED 燈串。OC5266 工作 電壓從 5.5V 到60V，提供可調的輸出電 流，內置MOS 最大1.5A 輸出，外擴NMOS 驅動可支持更高的功率範圍。
OC5266 內置功率開關，采用高端電流檢測電路，以及兼容PWM 和模擬調光 的調光腳DIM。當 DIM 腳電壓低於 0.3V 時輸出關斷，進入待機狀態。
OC5266 內置過溫保護電路，當芯片 達到過溫保護點進入過溫保護模式，輸出電流逐漸下降以提高系統可靠性。
OC5266 采用專利的電路架構使得在低壓差工作時輸出電流無過沖，提高 LED 工作壽命，OC5266 采用專利的恒流電路 具有優異的負載調整率和線性調整率。
OC5266 采用 ESOP8 封裝。
車燈驅動芯片OC5266特點
◆提供外部 NMOS 驅動外擴腳
◆高效率：96%
◆優異的負載調整率和線性調整率
◆高端電流檢測
◆最大輝度控制頻率：20KHz
◆滯環控制，無需環路補償
◆最高工作頻率：1MHz
◆電流精度：±3%
◆內置 VDD 穩壓管
◆寬輸入電壓：5.5V~60V
◆智能過溫保護
◆低壓差無過沖
車燈驅動芯片OC5266應用領域
◆LED 備用燈，信號燈
◆低壓 LED 射燈代替鹵素燈
◆汽車照明
車燈驅動芯片OC5266典型應用電路圖
車燈驅動芯片OC5266封裝及管腳分配
車燈驅動芯片OC5266管腳描述
管腳號
| 管腳名
| 管腳類型
| 描述
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| 1 | CS
| 輸入
| 電流檢測端
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| 2 | VIN
| 電源
| 電源電壓
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| 3 | SW
| 輸入/輸出
| 內置 NMOS 管漏極
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| 4 | DRV
| 輸出
| 外擴 NMOS 驅動腳
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| 5 | NC
| - | 懸空不接
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| 6、7 | VSS
| 地
| 芯片地
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| 8 | DIM
| 輸入
| 輝度控制端
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| PAD | 地
| 底部散熱焊盤接電源地
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車燈驅動芯片OC5266內部電路方框圖
車燈驅動芯片OC5266極限參數
註 ：極限參數是指超過上表中規定的工作範圍可能會導致器件損壞。而工作在以上極限條件下可能會影響器 件的可靠性。
車燈驅動芯片OC5266工作原理
OC5266 是壹款內置60V 功率開關(最大可支持1.5A 輸出)的高端電流檢測降壓型高精度 高亮度 LED 恒流驅動控制器。系統通過壹個外接電阻設定輸出電流，輸出驅動能力可通過DRV 驅動 NMOS 進行外擴；電流檢測精度高達±3%；外圍僅需很少的元件。
系統上電後，定義差值：
通過典型應用可以看到，負載 LED 上的電流與電感 L 電流以及電阻RCS 上的電流相等。上電後，電感電流不能突變，故電阻 RCS 上的電流為零，於是差值△v 亦為零；此差值輸入到 芯片內部，與基準電壓（240mV）比較後，使得功率開關管開啟。於是VIN 通過電阻RCS，電 感 L，負載 LED 以及功率開關管到地形成通路，電感L 儲存能量，其電流逐漸升高。
當電感電流達到：
此時，功率開關管關斷；之後，差值△v 輸入到芯片內部，與基準電壓（160mV）比較後， 使得功率開關管保持關斷狀態。由於電感電流的持續性，電感電流便通過負載 LED 及續流二 極管 D，電阻RCS 釋放能量，其電流逐漸下降。
當電感電流達到：
此時，功率管開啟；系統進入下壹個周期循環。
此系統對於電感電流的控制模式稱為電感電流滯環控制模式，其對負載瞬變具有非常快的響應，對輸入電壓具有高的抑制比，其電感電流紋波為+/-20%。
OC5266的電流取樣電阻選擇
系統穩定後，可假設負載 LED 上的電壓穩定，於是可近似認為電感電流呈線性變化。 故由前面敘述可知，電流取樣電阻 RCS 上的電流與負載 LED 上電流相等，於是電阻 RCS的取值決定了負載電流的大小。
OC5266驅動芯片的電感選擇
L電感值的大小決定系統工作頻率。穩定時，假設負載 LED 電壓為 VLED，輸入電壓 VIN，電感電流紋波 0.4*ILED，則功率管導通時間：
功率管關斷時間：
由以上公式可得系統工作頻率
OC5266驅動芯片的輝度控制
DIM 引腳是輝度控制輸入端。DIM 接低電平則 DRV 輸出低電平，DIM 接高電平則 DRV 按照壹定的占空比正常輸出開關信號。為保證輝度控制的線性壹致性，建議其最大輝度控制頻率低於 20KHz。如果不需要輝度控制功能則將 DIM 端懸空。
OC5266驅動芯外擴MOS管選擇
首先要考慮MOS管的耐壓，壹般要求MOS管的耐壓高過最大輸出電壓的1.5 倍以上。其次，根據驅動LED電流的大小以及電感最大峰值電流來選擇MOS管的IDS電流。壹般MOS管的 IDS最大電流應是電感最大峰值電流的 2 倍以上。此外，MOS管的導通電阻RDSON要小，RDSON 越小，損耗在MOS管上的功率也越小，系統轉換效率就越高。
另外，高壓應用時應註意選擇閾值電壓在 2.5V以內的MOS管。芯片的工作電源電壓決定 了DRV驅動電壓。通常芯片的驅動電壓為 5V，所以應保證MOS管在VGS電壓等於 5V時導通 內阻足夠低。
OC5266驅動芯 的續流二極管選擇
OC5266續流二極管 D 的耐壓值應高過最大輸入工作電壓。選擇正向導通壓降小的肖特基二極管有助於提高轉換效率。
OC5266車燈驅動芯片的輸入電容
電源輸入端 VIN 需接 47uF 至100uF 的濾波電容, 電容的耐壓值應高於最大輸入電壓。
OC5266車燈驅動芯片的過溫保護
當芯片溫度過高時，典型情況下當芯片內部溫度超過 150 度以上時，過溫調節開始起作用： 隨溫度升高輸入電流逐漸減小，從而限制輸入功率，增強系統可靠性。
