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 单向可控硅 筛选

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制造商 : 不限

JIEJIE MICROELECTRONICS

分类目录: 不限

单向可控硅

器件类型: 不限

门极带阻灵敏型单向可控硅（SCR，G-K 内置电阻 RGK=10~80kΩ）

型号: 不限

JR0805K

封装: 不限

TO-252

环保标准: 不限

RoHS 合规

适用场景: 不限

直发器、点火器、负离子发生器等

丝印标识: 不限

JR0805K + 生产年月编码

文档版本: 不限

Rev.A.1.1（2025.10.22 更新）

原厂: 不限

江苏捷捷微电子股份有限公司

代理 / 销售: 不限

广晟微半导体 (深圳) 有限公司

通态有效值电流 IT (RMS): 不限

8A

断态重复峰值电压 VDRM / 反向重复峰值电压 VRRM: 不限

600V

门极触发电流 IGT: 不限

≤200μA

存储结温范围 Tstg: 不限

-40 ~ 150 ℃

工作结温 Tj: 不限

-40 ~ 125 ℃（G-K 外接≤1kΩ 电阻；无外置电阻仅 110℃）

通态平均电流 IT (AV)（壳温≤76℃）: 不限

5A

通态有效值电流 IT (RMS)（壳温≤76℃）: 不限

8A

不重复浪涌峰值通态电流 ITSM（10ms，25℃）: 不限

80A

不重复浪涌峰值通态电流 ITSM（8.3ms，25℃）: 不限

88A

熔断 I²t 值（10ms，25℃）: 不限

32A²·s

通态电流临界上升率 dI/dt: 不限

50A/μs（IG=2×IGT，100Hz，Tj=125℃）

峰值门极电流 IGM: 不限

4A（脉冲 20μs，125℃）

平均门极功耗 PG (AV): 不限

1W（Tj=125℃）

峰值门极功耗 PGM: 不限

5W

非重复断态峰值脉冲电压 Vpp: 不限

0.5kV（Tj=25℃）

通态峰值压降 VTM: 不限

1.55 V（ITM=16A，tp=380μs，Tj=25℃）

阈值电压 VTO: 不限

0.79 V（Tj=125℃）

动态电阻 RD: 不限

0.02 Ω（ Tj=125℃）

断态漏电流 IDRM (Tj=25℃): 不限

5μA （VD=VDRM，VR=VRRM）

反向漏电流 IRRM (Tj=125℃): 不限

0.5mA（VD=VDRM，VR=VRRM）

结到壳直流热阻 Rth (j-c): 不限

4.5 ℃/W

结到环境直流热阻 Rth (j-a): 不限

120 ℃/W
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 单向可控硅

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JR0805K-TR
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 JR0805K-TR JIEJIE MICROELECTRONICS
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