沟槽类型 : |
N-channel Super Junction MOSFET |
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封装形式 : |
TO-252 |
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工艺技术 : |
深沟槽超结MOS |
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极性 : |
N-channel |
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导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ. : |
560 |
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导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max : |
650 |
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最大漏源电流ID(A) : |
8 |
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击穿电压VDS(V) : |
800 |
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产品性能 : |
超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场 |
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产品优势 : |
CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon C |
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产品关键字 : |
CPD80R650G1 |
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