50~100W可调光高压线性LED恒流驱动器LA5111B
LA5111B概述:
LA5111是一款单通道高压线性LED恒流驱动器,支持模拟及PWM调光功能。此外,内置的过温补偿功能,避免过热引起的热保护闪烁。其电源系统结构简单,只需很少
的外围器件就可以实现优秀的恒流特性。是一款体积小、成本低、可调光的LED恒流驱动芯片。
LA5111系统的输出电流可以通过电流采样电阻进行编程。LA5111有两种版本,分为内置MOS版本的LA5111A和外置MOS版本的LA5111B。由于无需电解电容及磁性元
件,可以实现很小的电源体积和非常长的电源寿命。
LA5111采用QFN3X3,ESOP8,SOT23-5封装。
LA5111B特点
●满足输入电压110VAC /220 VAC
●LA5111A内置500V高压MOSFET,最大输出电流60mA;大电流应用可采用LA5111B + 外置Power MOS
●可编程的LED输出电流,恒流电流精度±4%
●支持模拟和PWM调光功能
●过温补偿功能
●精简的外围电路,成品电源体积小
LA5111B应用范围:
LED 灯丝灯/蜡烛灯/射灯/球泡灯/日光灯
LA5111订货信息
产品型号
| 封装类型
| 温度范围
| 定购号
| 包装
|
LA5111A
| QFN3X3_3L/ ESOP8
| -40℃ to 85℃
| LA5111A_ QFN3X3_3L/ LA5111A_ ESOP8
| 编带_4000/盘
|
LA5111B
| QFN3X3_4L/SOT23-5
| -40℃ to 85℃
| LA5111B_ QFN3X3_4L/ LA5111B_ SOT23-5
| 编带_4000/盘
|
LA5111B管脚定义:
LA5111B引脚名称
| LA5111B引脚号 | LA5111B 引脚功能
|
D | 1 | 芯片供电输入脚。 |
GND
| 2 | 系统接地脚
|
CS
| 3 | 电流取样脚, 连接取样电阻到地。 |
G
| 4 | 外置功率管驱动脚接外置功率管gate端。 |
DIM
| 5 | 模拟或PWM调光输入脚。 |
LA5111B典型应用(功率随MOS而定,建议,单颗LA5111B做50W)
红框中的电路功能可根据需求增加或减少
下图为LA5111B应用于100W工矿灯应用,LA5111B为sot23-3封装
LA5111B功能描述
1. LA5111是一款单通道高压线性LED恒流驱动器,内部集成了高压启动模块、LED恒流控制模块、PWM和模拟调光模块、温度补偿等功能模块。
2. 输出电流通过改变CS端外接电阻Rcs来编程,内置MOS版本LA5111A可满足每通道输出电流在5mA到60mA之间变化,大电流应用可选用外置MOS版本的LA5111B,输出电流的恒流公式为:Iout =VREF /Rcs。
3. 该芯片支持PWM和模拟调光功能,模拟调光与PWM调光共用输入控制DIM脚且功能自动切换,其中模拟调光输入电压1.0V~3.0V,对应输出调光范围为0%~100%。PWM调光控制LED输出电流按PWM输入波形进行调制以实现PWM调光。
4. 芯片支持温度补偿模块, 在温度升高到150度时, LED 电流按照设定曲线减小, 温度接近170度LED电流下降到接近0. 温度补偿功能可以避免LED因为环境温度高, 造成的温度频繁保护引起的闪烁现象.
LA5111B应用信息:
1、高压LED串的设计
所需设计参数如下:
(1) 交流输入电压:Vnor(Vrms)
(2)LED晶粒的正向电流:If(mA)
(3)LED晶粒的正向电压:Vf(V)
LED晶粒的总数:N =(Vnor * 1.414-V1)/Vf (取整)。
其中V1是工作时IC压降,可以根据实际应用中散热条件适当调整,建议芯片功耗不大于1.5W。当输入电压波动到Vnor*1.414-V1<Vf*N.时灯珠串不亮,V1过大损耗会增大,芯
片损耗增加温度上升,所以V1取值要根据输入电压波动合理设定。
2、效率设计
其中Vin是AC输入电压,VLED 是每个LED灯工作电压降,ILED是LED导通电流。线路中串联的LED数量N越大,系统工作效率越高。设计过程中,可以根据实际应用条件合理调节V1,优化效率。
3、恒流控制,输出电流设置
LA5111B可以通过外部电阻精确的设定工作电流。工作电流计算公式: Iout =VREF /Rcs
注:布PCB线路时芯片要有良好的散热环境。
电解电容C值越大,电压Vin 纹波越小,LA5111B输入D端口电压纹波越小。C值根据LED 灯管总工作电流而定:电流越大,C容值越大,一般取值4.7uF/400V~22uF/400V
LA5111B应用案例:
220VAC输入,LED灯珠在150mA电流时每颗灯珠约3V压降(视灯珠而定):
灯珠数量确定(如典型应用图)
灯珠数N = (Vnor * 1.414-V1)/Vf=(220*1.414-50)/3≈88颗
取样电阻计算:
预设电流为I =150mA。
算法如下:
芯片工作温度77℃,Vref取600mV。
R2=Vref/I=600mV/150mA≈4Ω
根据并联的LED串数和工作电流,选择不同大小的取样电阻。整个线路恒流电流大小等于每个芯片恒流值之和。