APM,AP3N10BI,Trench沟槽N-MOS，100V/3A MOS,AP3N10BI,100V N沟道增强型MOSFET: AP3N10BI,100V/3A N-MOS,Trench沟槽工艺N-MOS

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100V N沟道增强型MOSFET: AP3N10BI,100V/3A N-MOS

询价数量：

典型应用方案 :	美容雾化,小信号开关MOS,蓄电池保护, Load switch 负载开关,UPS
产品关键字 :	N-MOS,APM MPS,台湾永源微，
沟槽类型 :	100V N沟道增强型MOSFET,
极性 :	N-MOS,
工艺技术 :	沟槽工艺Trench N-MOS,
最小包装MOQ（Pcs） :	3000PCS,
击穿电压VDS(V) :	VDS = 100V,
最大漏源电流ID（A） :	ID =2.8 A,
最大驱动电压VGS (±V) :	VGS=±20,
Ron*Qg(优值，FOM)(Ω.nC) :	无静电保护，
导通内阻Rdson @10V(mΩ) :	Rdson Max.@10V=310mΩ,
导通内阻Rdson @4.5V(mΩ) :	Rdson Max.@4.5V=320mΩ,
开启电压Vgs(th) :	Vgs(th).Min.=1.0V,Vgs(th).Typ=1.5V,Vgs(th).Max.=2.5V,
总栅极电荷Qg :	Qg=13.6nC,
栅源电荷Qgs :	Qgs=2.2nC,
栅漏电荷Qgd :	Qgd=2.4nC,
输入结电容Ciss :	Ciss=711pF,
输出结电容Coss :	Coss=41pF,
反馈结电容Crss :	Crss=23pF,
替代型号 :	3N10，